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元件参数资料
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参数目录39330
> MCR12DSNT4G THYRISTOR SCR 12A 800V DPAK
型号:
MCR12DSNT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
THYRISTOR SCR 12A 800V DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> SCR - 单个
MCR12DSNT4G PDF
标准包装
1
系列
-
SCR 型
灵敏栅极
电压 - 断路
800V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)
1V
电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)
1.9V
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)
7.6A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)
12A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)
200µA
电流 - 维持(Ih)
6mA
电流 - 断开状态(最大)
10µA
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)
100A @ 60Hz
工作温度
-40°C ~ 110°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
剪切带 (CT)
其它名称
MCR12DSNT4GOSCT
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